芯片关键技术重大突破！＂芯片荒＂席卷全球(附股)

芯片关键技术重大突破！集成电路全名单出炉，机构抱团超1200亿，聪明资金扫货7股！“芯片荒”席卷全球，涨价潮要来？

2021年1月1日起，集成电路产业新的免税政策将正式执行。

国产芯片和软件产业重磅利好落地

12月17日晚，财政部、税务总局、发展改革委、工信部四部门联合下发了《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》。政策自2021年1月1日起执行。

早在4个月前，国务院印发了《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，从财税、投融资、研究开发、进出口、人才、知识产权、市场应用、国际合作这八个方面支持集成电路产业和软件产业发展。 上述公告是对其中财税政策举措的落实。这是针对芯片制造首次推出十年免征所得税政策。国家鼓励的集成电路线宽小于28纳米(含)，且经营期在15年以上的集成电路生产企业或项目，第一年至第十年免征企业所得税。 芯片一直是中国进口金额最大的商品。根据海关公开数据，2019年中国芯片进口额为3040亿美元，超过原油、铁矿砂、粮食总和3016亿美元。美国限制芯片出口的行动，一定程度上激起了自主研发芯片的决心和力量。此次四部门联合发布支持集成电路发展的政策，将加快我国集成电路产业的发展。

北上资金超亿元扫货7只集成电路股

近年来，越来越多的上市公司加入到集成电路产业之中。数据宝统计显示，目前A股深度布局集成电路产业的公司共计67家，A股市值合计2.09万亿元。5家公司A股市值超千亿元，分别是韦尔股份(603501,股吧)、三安光电(600703,股吧)、中芯国际、卓胜微(300782,股吧)、澜起科技(688008,股吧)。

截至三季度末，社保基金、QFII、券商、保险、基金等五大机构合计持仓上述集成电路公司市值达到1236亿元。三安光电、兆易创新(603986,股吧)、紫光国微(002049,股吧)、圣邦股份(300661,股吧)是机构最扎堆的公司，持仓市值均超过百亿元。12月以来，按照成交均价计算，北上资金累计增持超亿元的有韦尔股份、士兰微(600460,股吧)、兆易创新、北方华创(002371,股吧)、扬杰科技(300373,股吧)、通富微电(002156,股吧)、卓胜微等7家公司。

不过相比年初的火爆，集成电路公司当前走势已降温不少。最新收盘价与年内高点相比，近六成股票回撤幅度在30%以上，其中丹邦科技(002618,股吧)、汇顶科技(603160,股吧)、华正新材(603186,股吧)、芯原股份等4股回撤幅度超过50%。

全球电子行业面临“芯片荒”

事实上，不论是汽车还是智能手机，亦或是其他电子设备，目前面临的一个重大问题就是“芯片荒”。由于新冠疫情在全球蔓延，芯片生产和出厂出现了延迟，但是全球消费者的消费热情却已经提前恢复，这造成芯片供应不足但需求迅猛增加的局面。此外，日本一家芯片工厂的大火和法国芯片企业的罢工，也让芯片供应雪上加霜。

有业内人士表示，整个电子行业都在遇到零件短缺的问题，这也造成一些电子产品的工期延长。路透社本月报道，荷兰汽车芯片供应商恩智浦半导体已告知客户，由于材料成本“大幅上涨”和芯片“严重短缺”，必须提高所有产品的价格。

在互动平台上，集成电路/芯片一直是投资者询问的热点话题。昨日晚间，紫光国微回答投资者提问时称，公司为国产大飞机提供网络通信类的机载总线交换芯片。

晶瑞股份回应称，公司年产9万吨超大规模集成电路用半导体高纯硫酸一期项目主体已建成，目前正在进行设备调试，尚未正式投产。公司拟购买的1900型浸入式光刻机设备将用于公司集成电路制造用高端光刻胶研发项目，无生产芯片业务。

光库科技针对芯片产业园的项目表示，公司铌酸锂高速调制器芯片研发及产业化项目于12月10日开工奠基，项目预计投资总额5.85亿元，项目达产后，公司将新增8万件铌酸锂调制器芯片及器件产能。

富满电子在回应投资者关于快充电源芯片供货紧张的提问时表示，目前市场形势，晶圆紧缺，供不应求。

30岁中科大毕业生破解集成光芯片难题

芯片已成为世界各国科技角力的主阵地。据澎湃新闻报道，30岁中科大毕业生破解集成光芯片难题。近日，《麻省理工科技评论》“35岁以下科技创新35人”2020年中国区榜单揭晓，瑞士洛桑联邦理工学院博士后刘骏秋因解决了集成光芯片和孤子频率梳的几个关键难题上榜。

刘骏秋和同事们研制出目前世界上体积最小、最紧凑的孤子微梳光芯片模块，创造了每米光程0.5dB损耗的世界最低记录。

刘骏秋介绍，光损耗是光子芯片中最为核心的问题，他所做的研究“非常技术”，是通过不断提升微纳加工的精准控制，从而把芯片上的光损耗做低。

昨天，据快科技，复旦大学微电子学院也传来好消息。该校周鹏教授的团队成功攻克难题，在3nm芯片关键技术上取得重大突破。据悉，周鹏教授的团队针对具有重大需求的3-5nm节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm的围栅多桥沟道晶体管，实现低泄漏电流与高驱动电流的融合。中国芯未来可期。(数据宝 梁谦刚）

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