三星电子8层版本的HBM3E存储芯片通过英伟达测试

2024-08-07 07:30:00 新浪网 

据报道,三星电子第五代HBM3E存储芯片的8层版本已经通过英伟达的测试。

三星电子和英伟达尚未就8层HBM3E存储芯片签署供应协议,但很快就会签署;预计第四季度开始供应。

12层版本的HBM3E存储芯片尚未通过英伟达的测试。

责任编辑:刘明亮

(责任编辑:董萍萍 )
看全文
写评论已有条评论跟帖用户自律公约
提 交还可输入500

最新评论

查看剩下100条评论

热门阅读

    和讯特稿

      推荐阅读