晶盛机电等公布“碳化硅晶体生长装置和制备方法”专利

天眼查APP显示，近日，浙江晶盛机电股份有限公司,宁夏创盛新材料科技有限公司申请的“碳化硅晶体生长装置和制备方法”专利公布。 摘要显示，本申请涉及一种碳化硅晶体生长装置和制备方法，所述碳化硅晶体生长装置包括坩埚和气氛调节结构，所述坩埚具有晶体生长腔，所述晶体生长腔的底部为原料容纳腔，所述晶体生长腔的顶部具有晶体生长基体，所述气氛调节结构设于所述晶体生长基体与所述原料容纳腔之间，所述气氛调节结构的材料包括氮化硅。该碳化硅晶体生长装置可在晶体整个生长周期内提供充足的氮气掺杂和硅碳比调控，从而优化气相组分中的硅碳比，防止硅组分不足，减少碳组分的过剩，进而抑制碳包裹现象的产生，促进高质量的碳化硅晶体生长。

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