全球瞩目下,中国力量在高科技半导体领域正以惊人的速度崛起,而长晶科技无疑是这股浪潮中的璀璨明星。作为连续多年获评“中国半导体功率器件十强企业”的佼佼者,长晶科技凭借其深厚的技术积累和广泛的产品线,在功率半导体领域实现了对国际大厂的全面对标,成为了国产替代的重要推动者。
长晶科技的产品线之丰富,令人瞩目。从SGT MOSFET、CSP MOSFET到超结MOSFET,再到IGBT单管和第三代半导体,长晶科技几乎涵盖了功率半导体的所有关键领域。其产品不仅应用于消费电子、工业控制等传统领域,更在新能源汽车、光伏储能等战略新兴市场中大放异彩。特别是在新能源汽车领域,长晶科技的IGBT产品已成功应用于电动汽车的充电桩市场,并与多家Tier 1、Tier 2整车厂建立了长期稳定的合作关系。
提到长晶科技对国际品牌的产品突破,不得不提其2024年12月发布的FST3.0 IGBT产品。这款产品采用了先进的微沟槽栅(1.6μm Pitch)+场终止技术,不仅大幅提高了载流子密度,还显著降低了通态损耗和开关损耗,性能直接对标国际Gen7.0水平。如今,FST3.0 IGBT已进入头部客户测试评估阶段,预示着中国IGBT技术在国际舞台上的竞争力日益增强。

在电源管理芯片(PMIC)领域,长晶的超低功耗LDO和高耐压LDO产品已在国内达到第一梯队,部分场景中可对标国际大牌。而在MOSFET领域,长晶科技的功率型MOSFET在12V-20V区间的RSP水平处于国内领先、国际第一梯队。此外,长晶科技还是国内率先实现晶圆级封装MOSFET规模化量产的企业,产品性能达到国际先进水平。

长晶科技拥有超过5000款二极管和3000款三极管产品,覆盖低VF、高结温等特性,而其其多样化的 TVS 解决方案(如小封装0201/0402 TVS管)可替代国际大品牌,并应用于手机、消费电子等领域。长晶科技的石英晶体谐振器、振荡器等产品在小体积封装(如 1612、2016)和超高频(>60MHz)领域同样具有优势,是国际大牌的良好替代品。
长晶科技的卓越表现赢得了行业广泛认可,连续多年获评“中国半导体功率器件十强企业”,这些荣誉的获得,不仅是对长晶科技技术创新和产品质量的肯定,更是对公司品牌影响力和市场地位的认可。
从技术跟跑到并肩竞争,长晶科技用全产业链布局证明:国产半导体的替代从来不是单点突破,而是从材料工艺到市场认证的全维度提升。当新能源汽车、光伏储能的 “中国方案” 里越来越多出现长晶的芯片,我们看到的不仅是一家企业的崛起,更是中国功率半导体从 “能用” 到 “好用” 的跃迁。
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