芯联集成公布“只读存储器及制备方法、只读存储器单元电阻的调整方法”专利

天眼查APP显示，近日，芯联集成电路制造股份有限公司申请的“只读存储器及制备方法、只读存储器单元电阻的调整方法”专利公布。 摘要显示，本发明提供一种只读存储器及其制备方法、调整只读存储器单元电阻的方法，所述只读存储器的只读存储器单元布置在金属互连结构中，且所述只读存储器单元包括MIM结构，所述ROM单元通过所述MIM结构存储数据“1”或者“0”。本发明采用后道工序（BEOL）形成的MIM结构来存储数据“1”或者“0”，其相较于现有技术中的前道工序（FEOL）形成的晶体管存储数据“1”或者“0”，提供了一种新型的存储数据的只读存储器单元，并且在流片验证时可以缩短验证周期，还可以降低流片验证的工艺复杂度和流片验证成本。

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