帝奥微“一种能够快速选择功率MOS衬底电位的集成式版图结构”专利获授权

天眼查APP显示，近日，江苏帝奥微电子股份有限公司申请的“一种能够快速选择功率MOS衬底电位的集成式版图结构”专利获授权。摘要显示，本发明公开了一种能够快速选择功率MOS衬底电位的集成式版图结构，包含功率MOS管PMO、衬底电位选择MOS管PM1和衬底电位选择MOS管PM2，将功率MOS管PMO、衬底电位选择MOS管PM1和衬底电位选择MOS管PM2拆分为多个子单元，一个功率MOS管PM0子单元、衬底电位选择MOS管PM1子单元和衬底电位选择MOS管PM2子单元构成一个基础功能单元，一个基础功能单元中衬底电位选择MOS管PM1子单元和衬底电位选择MOS管PM2子单元对称设置在功率MOS管PM0子单元的两侧。本发明节省芯片面积，简化了大电流路径金属布线，提高电位切换速度、实现电位均匀分布。

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