扬杰科技公布“一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法”专利

天眼查APP显示，近日，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的“一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法”专利公布。 摘要显示，一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法。涉及半导体技术领域。本发明栅极区上窄下宽的结构在保证垂直导电通道有效性的同时，减少电流导通路径上的电阻，结合高单元密度的沟槽结构优势，进一步降低器件的导通电压，提升导电效率。P+区与N+区的合理布局、栅极区电场分布的优化，协同改善器件的整体电场分布，避免局部电场过高导致的击穿电压下降问题，在降低导通电压的同时，保障器件具有较高的击穿电压，实现低导通损耗与高耐压性能的兼顾，满足大、中功率应用场景对器件性能的严苛需求。

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