乾照光电“一种外延结构及其制备方法”专利获授权

天眼查APP显示，近日，厦门乾照光电股份有限公司申请的“一种外延结构及其制备方法”专利获授权。摘要显示，本发明提供一种外延结构及其制备方法，采用MOCVD方法沉积生长外延结构，外延结构包括由下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、QW?QB?QDs耦合层和P型半导体层；其中，所述QW?QB?QDs耦合层包括由下至上生长至少一周期的QW层、QB层和QDs层，所述QW层为InGaN载流子蓄留层，所述QB层为GaN?AlGaN?GaN隧穿垒层，所述QDs层为InGaN量子点层；本申请设置QW?QB?QDs耦合结构，解决了直接向QDs注入载流子效率低的问题，且可调整QDs的生长形貌、应力，提高QDs的晶体质量，有效提高器件的发光效率。

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