芯联集成公布“RC-IGBT及其制造方法”专利

天眼查APP显示，近日，芯联集成电路制造股份有限公司申请的“RC-IGBT及其制造方法”专利公布。 摘要显示，本发明提供一种RC?IGBT及其制造方法，所述RC?IGBT包括衬底，所述衬底包括IGBT区和FRD区，所述FRD区具有低掺杂浓度的阳极区，本发明提供的制造方法，在通过沉积导电材料并回刻导电材料以在IGBT区上方的接触孔内形成导电插塞之后，再进一步利用刻蚀工艺，至少去除位于FRD阳极区上方的金属阻挡层，使得后续形成的正面金属层与FRD区的阳极区直接形成电连接，本发明提供的所述制造方法，通过精简的工艺步骤，有效降低了FRD阳极区的接触电阻，且可以无需增加额外的光罩，成本效益高。

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