厦门钨业公布“晶体生长方法及其装置”专利

天眼查APP显示，近日，厦门钨业股份有限公司申请的“晶体生长方法及其装置”专利公布。 摘要显示，本发明属于晶体制备技术领域，公开了一种晶体生长方法及其装置，晶体生长在控温内胆的腔体中进行。腔体内自上而下分别设有独立控温的上温区、梯度区和下温区，上温区的温度可设定为第一预设温度，且第一预设温度高于梯度区的温度，梯度区自上而下按照预设降温幅度形成均匀下降的温度梯度，且梯度区的温度包括晶体的结晶基准温度，通过盛放晶体原料的容器位于腔体内并可沿竖直方向移动，能够实现容器在各温区间的平稳切换与精准定位。通过上述设置，本申请的晶体生长方法能够提升晶体的纯度、完整性与结构稳定性，从而满足高质量晶体的制备需求。

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