晶合集成公布“接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法”专利

天眼查APP显示，近日，合肥晶合集成电路股份有限公司申请的“接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法”专利公布。 摘要显示，本发明提供一种接触插塞及其形成方法、半导体器件的形成方法，先形成接触插塞的第一部分，接着去除牺牲层使接触插塞的第一部分凸出于第一电介质层，并在第三电介质层内形成接触插塞的第二部分，接触插塞的第一部分和接触插塞的第二部分电连接构成接触插塞。本发明意想不到的效果是，在不增加光罩的前提下，分别形成接触插塞的第一部分和接触插塞的第二部分，可得到结构及性能良好的接触插塞。以及通过去除牺牲层使接触插塞的第一部分凸出于第一电介质层，然后通过两段短接触插塞形成完整的长接触插塞，避免接触插塞过长造成接触孔填洞能力较差的问题，防止产生空洞，避免接触插塞与上层金属层之间的接触开路问题。

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