芯联集成公布“屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法”专利

天眼查APP显示，近日，芯联集成电路制造股份有限公司申请的“屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法”专利公布。 摘要显示，本发明提供了一种屏蔽栅沟槽型晶体管及其制造方法，在沟槽中形成控制栅结构，所述控制栅结构包括位于栅间介质层上的控制栅介质层和位于所述控制栅介质层中的控制栅电极，所述控制栅电极包括多层控制栅电极层，自所述沟槽侧壁向所述沟槽中心，每层所述控制栅电极层的形成温度和/或掺杂浓度降低，由此可以形成高质量的控制栅电极，避免了控制栅电极内部形成缝隙，从而能够避免栅间介质层受到刻蚀及发生击穿，提高了屏蔽栅沟槽型晶体管的质量和可靠性。

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