国产内存芯片和三星技术差距是几年?答案揭晓

2022-05-31 16:04:34 快科技 

  数字经济时代,芯片扮演着重要角色。得益于人才聚集、产业升级、政策扶持等,我国的半导体产业正在蓬勃发展,并不断拉近与先进地区、企业的差距。

  日前,韩国研究机构OERI在报告中称,估计韩企和中国厂商在DRAM芯片的技术差距已缩短至5年。

  具体来说,三星和SK海力士计划在年底前投产第五代10nm级(1b或者说12nm)内存芯片,国产DRAM代表企业合肥长鑫今年的打算则是第二代10nm(1y或者说16/17nm)。

  一般而言,DRAM每一代的演进时间是2年到2年半。

  按照正常节奏,国产内存芯片完全有机会进一步缩短差距,可目前有一个比较棘手的问题在于,三星和SK海力士已经为生产更先进的DRAM芯片引入了EUV(极紫外光刻)设备,而这对我们来说,暂时还没法获取。

国产内存芯片和三星技术差距是几年?答案揭晓

(责任编辑:刘海美 )
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