天眼查APP显示，近日，芯联集成电路制造股份有限公司申请的“高压半导体器件及其制造方法”专利公布。
摘要显示，本发明提供一种高压半导体器件及其制造方法，通过在传统有源区刻蚀步骤中同步于漂移区内刻蚀出场板条形槽，并在后续工艺中于槽内填充掺杂多晶硅形成嵌入式场板结构。与现有技术相比，彻底解决了大尺寸接触孔导致的工艺可靠性问题，且在提升器件性能的同时大幅降低了制造成本。
（责任编辑：刘静 HZ010）
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