晶合集成公布“半导体结构及其键合方法”专利

天眼查APP显示，近日，合肥晶合集成电路股份有限公司申请的“半导体结构及其键合方法”专利公布。 摘要显示，本发明涉及一种半导体结构及其键合方法，涉及半导体技术领域。其首先提供两个基底，该基底包括凹槽以及位于凹槽内的导电层，在垂直于基底的方向上，导电层的高度要小于凹槽高度，导电层上设置有复合材料层，该复合材料是在凹槽内的导电层上定向原位合成的，可以调控反应条件，控制复合材料生成的量，省去了传统工艺中对导电层的高度特调。复合材料的多孔结构在键合过程中可以容纳导电层的热熔扩散，既防止了导电层金属渗透基底，又通过骨架填充保障了导电连续性。复合材料层表面丰富的官能团使键合界面同时具备介电材料键合与复合材料间键合的协同效应，比现有键合强度更高，采用本申请的键合方法可以形成键合强度更高，可靠性更好的半导体结构。

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