晶合集成公布“一种半导体器件及制造方法”专利

天眼查APP显示，近日，合肥晶合集成电路股份有限公司申请的“一种半导体器件及制造方法”专利公布。 摘要显示，本申请提供一种半导体器件及制造方法，涉及半导体技术领域。本申请发现在较长的多晶硅沟道上形成凹槽结构后，针对凹槽结构两侧的侧壁氧化层的回刻工艺会在凹槽结构的肩部区域形成深宽比极高的高深宽比区域，该高深宽比区域的深宽比远超高密度等离子体氧化物沉积工艺的工作范围，使基于高密度等离子体氧化物沉积工艺在凹槽结构内形成的氧化物填充结构可能存在气泡缺陷，影响器件性能。针对该情况，本申请在执行高密度等离子体氧化物沉积工艺前，调整凹槽结构内的氧化物界面与多晶硅界面，使其齐平以消除高深宽比区域，使凹槽结构的深宽比满足高密度等离子体氧化物沉积工艺的工作范围，进而形成致密的氧化物填充结构，保证其电学隔离性能。

【免责声明】本文仅代表作者本人观点，与和讯网无关。和讯网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。邮箱：news_center@staff.hexun.com